型号:MT16JTF51264HZ-1G6M1 | 类别:存储器 - 模块 | 制造商:Micron Technology Inc |
封装:204-SODIMM | 描述:MODULE DDR3 SDRAM 4GB 204SODIMM |
详细参数
类别 | 存储器 - 模块 |
---|---|
描述 | MODULE DDR3 SDRAM 4GB 204SODIMM |
系列 | - |
制造商 | Micron Technology Inc |
存储器类型 | DDR3 SDRAM |
存储容量 | 4GB |
速度 | 1600MT/s |
特点 | - |
封装/外壳 | 204-SODIMM |
供应商
HECC GROUP CO,LIMITED | 吴小姐0755-83950895(XILINX原厂渠道)0755-83950019(ALTERA渠道商)0755-83950890(专营高端) |
济南誉光微电电子科技有限公司 | 王小姐0531-88891493 |
HECC GROUP CO,LIMITED | 蔡小姐/钱先生/吴小姐/朱先生0755-88608527原装现货 83950895专营高端 88608510原厂渠道 83950019只做原装 |
HECC GROUP CO,LIMITED | 吴小姐0755-83950019(XILINX原厂渠道)0755-83950895(ALTERA渠道商)0755-83950890(专营高端) |
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存储器 - 模块
Micron Technology Inc
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MODULE DDR3 SDRAM 4GB 204SODIMM
- MCR18EZPJ9R1
芯片电阻 - 表面安装
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1206(3216 公制)
RES 9.1 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- MX2-AB007-VP
配件
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48-TFBGA,CSPBGA
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